Метод роста:Одних из первых сеяных расплавьте метод
Кристаллографическая система:Кубический
Кристаллографическая константа решетки:a= 3,989 a
Ряд прозрачности:Высокая пропускаемость от 0,4 к μm 5
Симметрия Кристл:Циркон тетрагональный, группа космоса D4h
Клетка Кристл:a=b=7.12A; c=6.29A
Метод роста:Чохральский
Кристаллографическая система:Кубический
Кристаллографическая константа решетки:a= 3,868 a
Температура плавления (℃):2080
Плотность (g/cm3):6,52
Твердость (Mho):6-6.5
Метод роста:Чохральский
Кристальная структура:Orthorombic, перовскит
Плотность (25°C):³ 6,9 g/cm
Кристальная структура:m
Константа клетки блока:a=5.154Å c=13.783 Å
Расплавьте пункт (℃):1650
Метод роста:Верхний осемененный рост решения
Температура плавления (℃):1600
Плотность (g/cm3):6,02
Кристальная структура:M3
Метод роста:Метод Czochralski
Константа клетки блока:a=12.376Å, (Z=8)
Коэффициент термальной проводимости://C: 5,23 W/m/K; ⊥C: 5,10 W/m/K
Класс Кристл:Позитв одноосный без =na=nb, ne=nc
Термальный оптически коэффициент:Dna/dT=8.5x10-6/K; dnc/dT=3.0x10-6/K