Отправить запрос |
Главная страница Продукциявафля полупроводника

Субстрат одиночного Кристл вафли полупроводника PMN-PT Кристл

Все продукты

Сцинтилляционный кристалл

(66)

Сцинтилляционный кристалл

(58)

Детектор Scintillator

(47)

Массив Scintillator

(34)

Субстрат одиночного Кристл

(33)

Пьезоэлектрическое Кристл

(2)

Оптически стеклянное окно

(6)

вафля полупроводника

(19)

Multi анализатор канала

(2)

Компоненты детектора луча x

(6)

Acousto оптическое Кристл

(6)

Вафля сапфирового стекла

(4)
Самые лучшие продукты
Вафля высокого полупроводника соответствовать решетки MCT плоскостности высокого CZT Кристл кристаллическая

Вафля высокого полупроводника соответствовать решетки MCT плоскостности высокого CZT Кристл кристаллическая

Вафля полупроводника CdTe субстрата CdTe разрешения высокой энергии

Вафля полупроводника CdTe субстрата CdTe разрешения высокой энергии

Спектр энергии и продовольственная безопасность обнаруживая зонд вафли полупроводника CZT

Спектр энергии и продовольственная безопасность обнаруживая зонд вафли полупроводника CZT

Сертификация
Китай Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

Субстрат одиночного Кристл вафли полупроводника PMN-PT Кристл

Субстрат одиночного Кристл вафли полупроводника PMN-PT Кристл
Субстрат одиночного Кристл вафли полупроводника PMN-PT Кристл

Большие изображения :  Субстрат одиночного Кристл вафли полупроводника PMN-PT Кристл

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: Kinheng
Сертификация: ISO
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1pc
Цена: Negotiable
Упаковывая детали: коробка пены
Время доставки: 4-6 недель
Условия оплаты: T/T, PayPal
Поставка способности: 10000pcs/year
контакт

Субстрат одиночного Кристл вафли полупроводника PMN-PT Кристл

описание
Структура: R3m, ромбоэдрический решетка: а0 ~ 4,024 Å
Температура плавления (℃): 1280 Плотность (г/см3): 8.1
Пьезоэлектрический коэффициент d33: >2000 пКл/Н Диэлектрические потери: тангенс d <0,9
Химический состав: ( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-х: (PbTiO3)х Состав: вблизи морфотропной фазовой границы
Высокий свет:

Вафля полупроводника PMN-PT

,

Субстрат R3m одиночный кристаллический

,

Вафля полупроводника Kinheng

Высокий электро-механический субстрат коэффициента связи PMN-PT одиночный кристаллический

 

PMN-PT кристаллическое известно за свои весьма высокий электро-механический коэффициент связи, высокий пьезоэлектрический коэффициент, высокое напряжение и низкая диэлектрическая потеря.

 

Свойства:

 

Химический состав (PbMg 0,33 N.B. 0,67) 1-x: (PbTiO3) x
Структура R3m, Rhombohedral
Решетка a0 | 4.024Å
Точка плавления (℃)
 		 1280
Плотность (g/cm3) 8,1
Пьезоэлектрический коэффициент d33 >2000 pC/N
Диэлектрическая потеря загорите d <0>
Состав около morphotropic границы участка

 

Преимущество:

гладкость 1.High
соответствовать решетки 2.High (MCT)
плотность дислокации 3.Low
ультракрасная пропускаемость 4.High

 

Съемки продукта:

Субстрат одиночного Кристл вафли полупроводника PMN-PT Кристл 0

 

вопросы и ответы:

1.Q: Вы изготовитель фабрики?

: Да, мы изготовитель с многолетним опытом 13 в индустрии scintillator кристаллической и поставили много известных брендов с хорошим качеством и обслуживанием.

 

2.Q: Где ваш основной рынок?

: Европа, Америка, Азия.

 

тег:

Вафля полупроводника CZT,

Вафля czt гамма-луча кристаллическая,

Рентгеновский снимок вафли полупроводника

Контактная информация
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Контактное лицо: Ivan. wang

Телефон: 18964119345

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Рентгеновский снимок вафли полупроводника CZT и модуляция лазера детектора гамма-луча оптически

Рентгеновский снимок вафли полупроводника CZT и модуляция лазера детектора гамма-луча оптически

Кристл: CdZnTe CZT

Тип проводимости: Тип p

Ориентация: (211), (111)

Удельное сопротивление: >106Ω.Cm
Высокий ультракрасный субстрат одиночного Кристл субстрата GaAs пропускаемости

Высокий ультракрасный субстрат одиночного Кристл субстрата GaAs пропускаемости

Данный допинг выбор: Никакие, Si, Cr, Fe, Zn

Размеры (mm): 10x10mm

Шероховатость поверхности: Шероховатость поверхности (Ра): <= 5A

Полировать: Одиночная или двойная отполированная сторона (стандарт SSP)
Инфракрасный вафли полупроводника Ge субстрата Ge и индустрия IC

Инфракрасный вафли полупроводника Ge субстрата Ge и индустрия IC

Метод роста: Метод Czochralski

Кристальная структура: M3

Константа клетки блока: a=5.65754 Å

Плотность (g/cm3): 5,323
Превосходный термальный субстрат SiC вафли кремниевого карбида механических свойств

Превосходный термальный субстрат SiC вафли кремниевого карбида механических свойств

Деталь: 2 дюйма 4H N типа

диаметр: 2inch (50.8mm)

Толщина: 350+/-25um

Ориентация: с оси 4.0˚ к ± 0.5˚ <1120>
Эффективность быстрой скорости вафли полупроводника SiC небольшая сильная большая рентабельная

Эффективность быстрой скорости вафли полупроводника SiC небольшая сильная большая рентабельная

Название продукта: Субстрат SiC, вафля полупроводника SiC

Полное имя: Субстрат Кристл кремниевого карбида

химическая формула: SiC

Ранг 1: Ранг продукции
около

Сцинтилляционный кристалл

Окружающая среда анализа спектра энергии контролируя бромид Scintillator CeBr3 церия

Высокая светлая быстрая реакция водоемкое CeBr3 Scintillator Кристл выходов

Предпосылка времени разложения разрешения энергии LaBr3 3% Scintillator Кристл 20ns низкая

Сцинтилляционный кристалл

Считать радиации обнаружения гаммы Кристл сцинтилляции нефтедобывающей промышленности LaBr3

Время разложения Кристл превосходной сцинтилляции разрешения энергии LaBr3 быстрое

Гамма-детектор Иодид цезия Сцинтилляционный кристалл

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество Сцинтилляционный кристалл поставщик. © 2022 - 2023 kinheng.com. All Rights Reserved.